Professor e estudante do Campus Curitiba conquistam prêmios na Feira Brasileira de Jovens Cientistas 2021

O professor de Física Hugo Feitosa Jurca e a estudante Giovanna Iancoski do Campus Curitiba participaram da Feira Brasileira de Jovens Cientistas 2021 e conquistaram duas premiações:

O Prêmio Scientific American Brasil de Pesquisa e Inovação e o segundo lugar em Ciências Exatas e da Terra.

A Scientific American é uma das revistas de divulgação científica mais respeitadas no mundo e atua na dispersão de pesquisas e projetos feitos nacionalmente. O prêmio rendeu a dupla assinaturas anuais da revista e a publicação do projeto. Já o segundo lugar na feira foi premiado com medalhas, certificados e um kit da faculdade Inteli.

Para Giovanna, aluna do segundo ano de Petróleo e Gás, “foi muito interessante participar da FBJC, principalmente por ser uma feira que carrega um bom reconhecimento. Ter o trabalho que a gente vem desenvolvendo há tempos avaliado por bons profissionais nos permite reconhecer o que tem sido feito de forma correta, além de nos permitir compartilhar novas ideias e pontos de vista”.

A pesquisa submetida por professor e aluna para participar da feira tem o título de “Estado da arte do óxido de gálio em aplicações de semicondução ferromagnética e transistores e diodos de alta potência“.

Segundo o prof. Hugo, “a intenção é continuar o trabalho no laboratório nas dependências da UFPR pós pandemia, mas por enquanto o estudo se baseou numa revisão bibliográfica e em simulações das estruturas cristalinas do óxido de gálio com o software livre Vesta, para adiantar a fase experimental. O objetivo é conseguir um material útil para um ou mais tipos de sensores, diminuindo ainda mais nossos equipamentos atuais; e as aplicações do óxido de gálio em semicondutores ferromagnéticos e transistores e diodos de alta potência se mostram muito promissoras teoricamente”.

Confira o resumo do projeto:

“Óxido de gálio (Ga2O3), com gap de banda de 4,9 eV, é um material semicondutor emergente de largura de banda ultra alto, que atraiu recentemente muita atenção científica e tecnológica devido às suas extensas aplicações futuras em eletrônica de potência (transistores de efeito de campo, diodos de barreira Schottky), optoeletrônica (dispositivos eletroluminescentes), memória (dispositivos spintrônicos, dispositivos de memória de acesso aleatório de resistência), sistemas de detecção (sensores de gás, detectores de radiação nuclear), eletrodo de óxido condutor transparente no ultravioleta profundo e fotocatalisador. A pesquisa em Ga2O3 tornou-se um tema extremamente atraente em todo o mundo, e o número de publicações exibe o crescimento exponencial em função do tempo. Espera-se que essa tendência continue no futuro próximo à medida que a pesquisa para o desenvolvimento de dispositivos de energia aumente. Com a minimização de espaço dentro dos dispositivos, o objetivo hoje em dia é de se obter um material que venha a servir não somente para um tipo de sensor, mas para que um mesmo dispositivo seja capaz de servir para o máximo de aplicações possível. Neste sentido, o presente trabalho tem como objetivo demonstrar o estado da arte deste composto com aplicabilidade em dispositivos spintrônicos (fenômeno ferromagnético é o que origina a spintrônica), e transistores e diodos de alta potência. A princípio, pode ser produzido células unitárias de cada policristal do óxido de gálio e calculado a sua difração de raio-x”.